Диоды КД503А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения. Выпускаются в стеклянном корпусе с разнонаправленными гибкими выводами.
Основные технические характеристики диода КД503А:
Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
Inp max — Максимальный прямой ток: 20 мА; fд — Рабочая частота диода: 350 мГц;
Unp — Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
Ioбp — Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
tвoc обр — Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
