Тип Биполярный транзистор
Материал Ge
Структура pnp
Pc,max 30W
Ucb,max 80V
Uce,max 60V
Ueb,max 40V
Ic,max 8A
Tj,max 80єC
Ft,max 200KHz
Cctip,pF 200
Hfe 20MIN
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Год | 0001 |
Тип Биполярный транзистор
Материал Ge
Структура pnp
Pc,max 30W
Ucb,max 80V
Uce,max 60V
Ueb,max 40V
Ic,max 8A
Tj,max 80єC
Ft,max 200KHz
Cctip,pF 200
Hfe 20MIN
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Год | 0001 |