Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 12.5W
Ucb,max 1500V
Uce,max 700V
Ueb,max 5V
Ic,max 8A
Tj,max 115єC
Ft,max 4MHz
Cctip,pF 125
Caps TO-3
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Производ. | TOSHIBA |
Год | 0001 |
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 12.5W
Ucb,max 1500V
Uce,max 700V
Ueb,max 5V
Ic,max 8A
Tj,max 115єC
Ft,max 4MHz
Cctip,pF 125
Caps TO-3
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Производ. | TOSHIBA |
Год | 0001 |