Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 150W
Ucb,max 350V
Uce,max 250V
Ueb,max —
Ic,max 8A
Tj,max 200єC
Ft,max —
Cctip,pF —
Hfe 10MIN
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Производ. | ST |
Год | 2014 |
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 150W
Ucb,max 350V
Uce,max 250V
Ueb,max —
Ic,max 8A
Tj,max 200єC
Ft,max —
Cctip,pF —
Hfe 10MIN
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Производ. | ST |
Год | 2014 |