Тип транзистор
Технология MOSFET
Palarity P-Channel
Pd,max
Uds,max 100V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 25A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Rds,ohm 0.150
Caps N/A
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Год | 0001 |
Производ. | IR |
Тип транзистор
Технология MOSFET
Palarity P-Channel
Pd,max
Uds,max 100V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 25A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Rds,ohm 0.150
Caps N/A
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Год | 0001 |
Производ. | IR |