Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 600mW
Ucb,max 50V
Uce,max 50V
Ueb,max 5V
Ic,max 600mA
Tj,max 200єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 12
Hfe 40MIN
| Имп.Отеч. | Импортный |
|---|---|
| Год | 0001 |
Похожие товары
-
Год2014ПроизводительИмпортныйЗаводSTАртикулА00473Остаток2 - Год2014ПроизводительИмпортныйЗаводONАртикулА00468Остаток11
-
Год2015ПроизводительИмпортныйЗаводONАртикулА00466Остаток2 -
Год0001ПроизводительИмпортныйЗаводTESLAАртикулА00478Остаток1
