Транзисторы КТ117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах, преобразователях. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Основные технические характеристики транзистора КТ117Б:
Структура транзистора: n-база
Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
fmax — Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;
Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,65… 0,9
Структура транзистора: n-база
Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
fmax — Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;
Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,65… 0,9
