Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 125W
Ucb,max 100V
Uce,max 100V
Ueb,max 5V
Ic,max 10A
Tj,max 150єC
Ft,max
Cctip,pF
Hfe 500MIN
Caps TO218
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Производ. | ST |
Год | 0001 |
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 125W
Ucb,max 100V
Uce,max 100V
Ueb,max 5V
Ic,max 10A
Tj,max 150єC
Ft,max
Cctip,pF
Hfe 500MIN
Caps TO218
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Производ. | ST |
Год | 0001 |