Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 80V
Uce,max 35V
Ueb,max 6V
Ic,max 1A
Tj,max 200єC
Ft,max 60MHz
Cctip,pF 12
Hfe 30MIN
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Год | 0001 |
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 80V
Uce,max 35V
Ueb,max 6V
Ic,max 1A
Tj,max 200єC
Ft,max 60MHz
Cctip,pF 12
Hfe 30MIN
Имп.Отеч. | Импортный |
---|---|
Год | 0001 |