Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 80V
Uce,max 35V
Ueb,max 6V
Ic,max 1A
Tj,max 200єC
Ft,max 60MHz
Cctip,pF 12
Hfe 30MIN
| Имп.Отеч. | Импортный |
|---|---|
| Год | 0001 |
Похожие товары
-
Год2014ПроизводительИмпортныйЗаводSTАртикулА00473Остаток2 -
Год0001ПроизводительИмпортныйЗаводTOSHIBAАртикулА00462Остаток10 - Год2014ПроизводительИмпортныйЗаводSTАртикулА00474Остаток2
-
Год0001ПроизводительИмпортныйЗаводTESLAАртикулА00478Остаток1
